Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Zásilkovna 39 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 49 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

Name: Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices
Brand: The Institution of Engineering and Technology
SKU: 49973426
Price: 5452 CZK
Availability: InStock
Author: Fei Wang
ISBN: 9781837248407

Fei Wang

Zheyu Zhang

Edward A. Jones

Jazyk

Angličtina

E-kniha Adobe ePub DRM

Nakladatelství The Institution of Engineering and Technology, září 2018

At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The e... Celý popis

Libristo kód: 49973426

545 b

5 452 Kč

Skladem Ihned ke stažení

Zákazníci také koupili

Karjalanneito kimpaantuu Kurvinen

MP3

232 Kč

At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The emergence of wide bandgap (WBG) semiconductor devices, including silicon carbide and gallium nitride, promises power electronics converters with higher efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost than converters using the established silicon-based devices. However, WBG devices pose new challenges for converter design and require more careful characterization, in particular due to their fast switching speed and more stringent need for protection.