Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Balíkovna 49 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč Zásilkovna 39 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný :-(

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Parameter-Centric Scaled FET Devices

Name: Parameter-Centric Scaled FET Devices
Brand: Springer
SKU: 49178821
Price: 1130 CZK
Availability: InStock
Author: Nabil Shovon Ashraf
ISBN: 9783031842863

Physics Based Perspectives and Attributes

Nabil Shovon Ashraf

Jazyk

Angličtina

E-kniha Adobe ePub DRM

Nakladatelství Springer, březen 2025

Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in... Celý popis

Libristo kód: 49178821

113 b

1 130 Kč

Skladem Ihned ke stažení

Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy. The book is focused on the extraction of parameters for silicon-based FET models that critically determine the FET performance at room temperature as well as at very low temperatures. Emphasize is put on analysis that is based on the device physics, especially at low (cryogenic) temperatures. Performance of gate-all-around (GAA) nanowire FETs, and stacked nanosheet complementary FETs (C-FET) are also discussed.