Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Zásilkovna 39 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 49 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný :-(

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Silicon Non-Volatile Memories

Name: Silicon Non-Volatile Memories
Brand: Wiley-ISTE
SKU: 39914093
Price: 4802 CZK
Availability: InStock
Author: Barbara de Salvo
ISBN: 9781118617809

Barbara de Salvo

Jazyk

Angličtina

E-kniha Adobe ePub DRM

Libristo kód: 39914093

Nakladatelství Wiley-ISTE, květen 2013

This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently bein... Celý popis

Libristo kód: 39914093

480 b

4 802 Kč

Skladem Ihned ke stažení

Zákazníci také koupili

Anpassung des Einstellungstestes für die klassische Ausbildung zum Industriekaufmann an das duale Studium zum BA in Business Administration David Klee

Brožovaná

410 Kč

Leg, laering og mestring Freddy Lund J Rgensen

Brožovaná

410 Kč

12 Tipps wie DU Freunde gewinnst Harald Mizerovsky

Brožovaná

206 Kč

Mozart-Collection Baltisches Festival Orchester

Audio CD

203 Kč

La Marche de Gaïa Daniel Nahon

Brožovaná

722 Kč

ATALANTA SAINT

Kniha

421 Kč

ROGER FEDERER STAUFFER

Kniha

274 Kč

This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different evolutionary paths based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. Disruptive paths are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.