Nehodí se? Vůbec nevadí! Zboží můžete vrátit až do 30 dní
S dárkovým poukazem nešlápnete vedle. Obdarovaný si za dárkový poukaz může vybrat cokoliv z naší nabídky.
Až 30 dní na vrácení zboží
Abstract: A process-based model (UFET) for deep-submicron bulk-silicon MOSFETs is developed and verified with numerical device simulations and measured data. The charge-based model is physical with accountings for the predominant short-channel (e.g., c
Ahoj! Jsem Libroamiko, tvůj knižní rádce.
Jak ti můžu pomoct?