Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 299 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 64 Kč
Zásilkovna 44 Kč
PPL 99 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 64 Kč
Zásilkovna 44 Kč
PPL 99 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 299 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussi...
Celý popis
Libristo kód: 02008847
?
467 b
467 b
4 673
Kč
Skladem u dodavatele v malém množství
Odesíláme za 10-15 dnů
30 dní na vrácení zboží
Mohlo by vás také zajímat
The topic of this monograph is the physical modeling of heterostructure devices. A detailed discussion of physical models and parameters for compound semiconductors is presented including the relevant aspects of modern submicron heterostructure devices. More than 25 simulation examples for different types of Si(Ge)-based, GaAs-based, InP-based, and GaN-based heterostructure bipolar transistors (HBTs) and high electron mobility transistors (HEMTs) are given in comparison with experimental data from state-of-the-art devices.§
Informace o knize
Plný název
Analysis and Simulation of Heterostructure Devices
Autor
Vassil Palankovski, Rüdiger Quay
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Brožovaná
Datum vydání
2012
Počet stran
289
EAN
9783709171936
ISBN
3709171938
Libristo kód
02008847
Nakladatelství
Springer Verlag GmbH
Váha
498
Rozměry
155 x 235 x 18
