Nehodí se? Vůbec nevadí! Zboží můžete vrátit až do 30 dní
S dárkovým poukazem nešlápnete vedle. Obdarovaný si za dárkový poukaz může vybrat cokoliv z naší nabídky.
Až 30 dní na vrácení zboží
What happens inside a GaN HEMT during device §operations? Usually,destructive measurements are §required to analyze the defect and the carrier§trapping - which are the two biggest reliabilty §issues in GaN electronics.The novel noninvasive §optical characterization techniques provided by this §book can visualize the potential defect and the §trapping region inside an operating GaN HEMT. The §techniques show promise for screening the device §failure.
Ahoj! Jsem Libroamiko, tvůj knižní rádce.
Jak ti můžu pomoct?