Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 64 Kč
PPL 99 Kč
Zásilkovna 54 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
GLS 54 Kč
Kurýr GLS 64 Kč
PPL 99 Kč
Zásilkovna 54 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Brožovaná
Discusses silicon oxidation in a tutorial fashion from both experimental and theoretical viewpoints....
Celý popis
Libristo kód: 06616699
?
331 b
331 b
3 313
Kč
Skladem u dodavatele v malém množství
Odesíláme za 12-17 dnů
30 dní na vrácení zboží
Mohlo by vás také zajímat
Discusses silicon oxidation in a tutorial fashion from both experimental and theoretical viewpoints. The authors report on the state of the art both at Lucent Technology and in academic research. The book will appeal to researchers and advanced students.
Informace o knize
Plný název
Fundamental Aspects of Silicon Oxidation
Autor
Yves J. Chabal
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Brožovaná
Datum vydání
2012
Počet stran
262
EAN
9783642625831
ISBN
9783642625831
Libristo kód
06616699
Nakladatelství
Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
Váha
433
Rozměry
155 x 235 x 16
