Nehodí se? Vůbec nevadí! U nás můžete do 30 dní vrátit
S dárkovým poukazem nešlápnete vedle. Obdarovaný si za dárkový poukaz může vybrat cokoliv z naší nabídky.
30 dní na vrácení zboží
This monograph is the first on physics-based simulations of novel strained Si and SiGe devices. It provides an in-depth description of the full-band monte-carlo method for SiGe and discusses the common theoretical background of the drift-diffusion, hydrodynamic and Monte-Carlo models and their synergy.