Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Balíkovna 49 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč Zásilkovna 39 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný :-(

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Hydrogenated Amorphous Silicon

Name: Hydrogenated Amorphous Silicon
Brand: Cambridge University Press
SKU: 02028769
Price: 4703 CZK
Availability: InStock
Author: R. A. Street
ISBN: 9780521371568

R. A. Street

Jazyk

Angličtina

Kniha Pevná

Libristo kód: 02028769

Nakladatelství Cambridge University Press, srpen 1991

This book describes the properties and device applications of hydrogenated amorphous silicon. It cov... Celý popis

Libristo kód: 02028769

470 b

4 703 Kč

Skladem u dodavatele Odesíláme za 14-21 dnů

Až 30 dní na vrácení zboží

Zákazníci také koupili

Nautilus - Ausgabe A für Gymnasien in Baden-Württemberg - Band 2: 7./8. Schuljahr Rainer Nowak

Brožovaná

998 Kč

Aus Der Geschichte Der Menschlichen Dummheit Max Kemmerich

Brožovaná

813 Kč

Forschen mit Kindern Kirsten Lindenthal

Brožovaná

612 Kč

Im Rhonetal Johanna Spyri

Brožovaná

267 Kč

Freimaurerei in zwoelf Fragen und Antworten Otto Henne am Rhyn

Brožovaná

348 Kč

Prognoseverfahren zum biologischen Befall durch Algen, Pilze und Flechten an Bauteiloberflächen auf Basis bauphysikalischer und mikrobieller Untersuch C. Fritz

Brožovaná

1 221 Kč

Musizieren mit links Walter Mengler

Brožovaná

442 Kč

War on Drugs in der Andenregion Jakob Weber

Brožovaná

874 Kč

Fief David Lopez

binding.

641 Kč

This book describes the properties and device applications of hydrogenated amorphous silicon. It covers the growth, the atomic and electronic structure, the properties of dopants and defects, the optical and electronic properties which result from the disordered structure and finally the applications of this technologically very important material. There is also an important chapter on contacts, interfaces and multilayers. The main emphasis of the book is on the new physical phenomena which result from the disorder of the atomic structure. The book will be of major importance to those who are researching or studying the properties and applications of a-Si:H. It will have a wider interest for anyone working in semiconductor physics and electronic engineering in general.