Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Balíkovna 49 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč Zásilkovna 39 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný :-(

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Materials Reliability in Microelectronics V: Volume 391

Name: Materials Reliability in Microelectronics V: Volume 391
Brand: Materials Research Society
SKU: 02060054
Price: 644 CZK
Availability: PreOrder
Author: William F. Filter
ISBN: 9781558992948

Jazyk

Angličtina

Kniha Pevná

Libristo kód: 02060054

Nakladatelství Materials Research Society, říjen 1995

This long-standing proceedings series is highly regarded as a premier forum for the discussion of mi... Celý popis

Libristo kód: 02060054

64 b

Připravujeme

644 Kč

Očekávaný dotisk

Termín neznámý

Až 30 dní na vrácení zboží

Zákazníci také koupili

Kochen mit... Bananen Götz Gußmann

Pevná

204 Kč

Histoires autour de sages fous et de fous sages Lagny Delatour

Brožovaná

499 Kč

Finanzmarktintegration durch Insolvenzrechtsharmonisierung Andy Ruzik

Pevná

4 595 Kč

Unsere ersten Ziegen Anne-Kathrin Gomringer

Brožovaná

308 Kč

This long-standing proceedings series is highly regarded as a premier forum for the discussion of microelectronics reliability issues. In this fifth book, emphasis is on the fundamental understanding of failure phenomena in thin-film materials. Special attention is given to electromigration and mechanical stress effects. The reliability of thin dielectrics and hot carrier degradation of transistors are also featured. Topics include: modeling and simulation of failure mechanisms; reliability issues for submicron IC technologies and packaging; stresses in thin films/lines; gate oxides; barrier layers; electromigration mechanisms; reliability issues for Cu metallizations; electromigration and microstructure; electromigration and stress voiding in circuit interconnects; and resistance measurements of electromigration damage.