Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Zásilkovna 39 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 49 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation

Name: MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation
Brand: Springer Verlag GmbH
SKU: 02119156
Price: 2357 CZK
Availability: InStock
Author: Narain D. Arora
ISBN: 9783709192498

Theory and Practice

Narain D. Arora

Jazyk

Angličtina

Kniha Brožovaná

Libristo kód: 02119156

Nakladatelství Springer Verlag GmbH, leden 2012

The book has 12 chapters. Starting from the overview of various aspects of device modeling for circu... Celý popis

Libristo kód: 02119156

236 b

2 357 Kč

Skladem u dodavatele Odesíláme za 5-8 dnů

Až 30 dní na vrácení zboží

Zákazníci také koupili

Drehgriffel Nr. 1 Indigo Gel pen (Black ink) Papírenské zboží

Papírenské zboží

569 Kč

BABADADA black-and-white, Georgian (in georgian script) - Algerian (in arabic script), visual dictionary (in georgian script) - visual dictionary (in Babadada Gmbh

Brožovaná

155 Kč

Mon pépé est un fantôme - Tome 1 - Saison 1 Barral Nicolas

Pevná

406 Kč

PIANO WORKS AND PIANO TRANSCRIPTIONS 149, 151-174 PYOTR ILYICH TCHAIKO Kniha

binding.

12 980 Kč

La cale ronde - Un mythe au cœur de Douarnenez Madézo

Brožovaná

394 Kč

Effets de l'enseignement constructiviste du théâtre (CTI) - Résultats Ngozi Joannes Anyaegbunam

Brožovaná

1 217 Kč

Catálogo de expediciones a Indias (años 1710 a 1783) ALVAREZ PINEDO

Kniha

634 Kč

Seks w wielkim lesie wyd. 2 Łukasz Łuczaj

Brožovaná

261 Kč

Vertrag mit Haken Bianka Mertes

Brožovaná

267 Kč

LA PEQUEÑA FORASTERA: SIUIL, A RUN NUM. 05 Nagabe

Brožovaná

342 Kč

Cultura del paisaje en la China tradicional : arqueología y orígenes del concepto paisaje Antonio José Mezcua López

Brožovaná

397 Kč

Orinel Nenvek. Histoire De Saisons Priscill Landrieux

Brožovaná

486 Kč

Vom Junkie zum Ironman Jörg Schmitt-Kilian

Brožovaná

249 Kč

Simulierte Ultraschallbildgebung und in der medizinischen Diagnostik auftretende Artefakte Torsten Rohlfing

Brožovaná

1 076 Kč

Alle Erzählungen Rosamunde Pilcher

Brožovaná

410 Kč

Attraktivitat des deutschen Profi-Fussballs unter Berucksichtigung von Finanzausstattung und relativer Wettbewerbsfahigkeit der Ligamannschaften Marian Klemm

Brožovaná

976 Kč

Betriebsverausserungen gegen wiederkehrende Leistungen Eva Reiter

Brožovaná

915 Kč

Audi Victoria, für gemischten Chor und Klavier, 10 Singpartituren + 1 Klavierpartitur Prinzen

Noty

961 Kč

Sistemas diferenciales monotonos y convexos Ana María Sanz

Brožovaná

1 198 Kč

Dell' Origine E Dell' Ufficio Della Letteratura (1809) Ugo Foscolo

Brožovaná

511 Kč

Ecuaciones diferenciales y cálculo vectorial Ferreira de Pablo

Brožovaná

1 108 Kč

Relevanz der Suchmaschinenoptimierung im Onlinemarketing in der deutschen Ferienimmobilien-Tourismusbranche Stefan Oprescu

Brožovaná

874 Kč

Gesammelte Schriften von Friedrich Gerstacker Friedrich Gerstacker

Brožovaná

905 Kč

Cours d'Arithmetique Decimale, Demontree Analytiquement, En Parallele Avec l'Arithmetique Vulgaire LEWAL-C

Brožovaná

423 Kč

The book has 12 chapters. Starting from the overview of various aspects of device modeling for circuit simulators, a brief but complete review of seminconductor device physics and pn junction theory required for understanding MOSFET models is covered. The MOS transistor characteristics as applied to current MOS technologies are then discussed. First, the theory of MOS capacitors that is essential for understanding of MOS transistor models are discussed. This is followed by different types of MOSFET models such as threshold voltage, DC (steady-state), AC, and reliability models and the corresponding model parameter determination. The diode and MOSFET models as implemented in Berkeley SPICE, are also covered. Finally, the statistical variation of model parameters due to process variations are discussed.