Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 299 Kč
PPL Parcel Shop 54 Balík do ruky 74 Balíkovna 49 GLS 54 Kurýr GLS 64 Zásilkovna 44 PPL 99

Optimization of RF-Transistor from Device to Circuit Level for PAs

Jazyk AngličtinaAngličtina
Kniha Brožovaná
Kniha Optimization of RF-Transistor from Device to Circuit Level for PAs Ahsan Kashif
Libristo kód: 09376185
Nakladatelství LAP Lambert Academic Publishing, června 2015
This book presents my PhD research work which was focused to design and develop RF-LDMOS transistor... Celý popis
? points 119 b
1 189
Skladem u dodavatele Odesíláme za 8-10 dnů

30 dní na vrácení zboží


Mohlo by vás také zajímat


Walnut and Steel Bill Ward / Pevná
common.buy 808
Agency Law in Commercial Practice Danny Busch / Pevná
common.buy 6 411
Asteroid Apophis and the Apocalypse Njord Kane / Brožovaná
common.buy 525
First Urban Churches 3 James R. Harrison / Brožovaná
common.buy 1 212
Court Delay and Human Rights Remedies Caroline Savvidis / Pevná
common.buy 5 494
Ölüm Limuzini Nazli Eray / Brožovaná
common.buy 384
Of Sovereignty. Philemon Bliss / Brožovaná
common.buy 698
Připravujeme
Britain and the Wars in Vietnam Gerald Prenderghast / Brožovaná
common.buy 1 473
Compacts for equality Economic Commission for Latin America & the Caribbean / Brožovaná
common.buy 1 491
Surviving Reagan Isabella / Brožovaná
common.buy 416
Vampire in Europe Professor Montague Summers / Brožovaná
common.buy 738

This book presents my PhD research work which was focused to design and develop RF-LDMOS transistor in the field of communication systems for power amplifiers applications that can handle high power and high data rates for the emergence of new communication standards like 3G, 4G and LTE etc. LDMOS devices have been dominating in the communication field since last two decades and widely used in PA developments. Therefore, this book deals with the optimization of RF-LDMOS transistor and its evaluation in different PA classes, such as linear, switching, wide band and multi-band applications etc. Some techniques are also developed in Technology CAD (TCAD) using large signal time domain computational load-pull (CLP) methods. The main motivation behind this work was to study an accurate large signal characterization of RF-transistors using CLP techniques in TCAD and its validation with experimental data. As being author, I recommend this book for new device engineers/researchers to understand the optimized parameters of RF devices and its impact on system level design.

Informace o knize

Plný název Optimization of RF-Transistor from Device to Circuit Level for PAs
Autor Ahsan Kashif
Jazyk Angličtina
Vazba Kniha - Brožovaná
Datum vydání 2015
Počet stran 96
EAN 9783659516108
Libristo kód 09376185
Váha 159
Rozměry 150 x 220 x 7
Darujte tuto knihu ještě dnes
Je to snadné
1 Přidejte knihu do košíku a zvolte doručit jako dárek 2 Obratem vám zašleme poukaz 3 Kniha dorazí na adresu obdarovaného

Přihlášení

Přihlaste se ke svému účtu. Ještě nemáte Libristo účet? Vytvořte si ho nyní!

 
povinné
povinné

Nemáte účet? Získejte výhody Libristo účtu!

Díky Libristo účtu budete mít vše pod kontrolou.

Vytvořit Libristo účet