Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Balíkovna 49 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč Zásilkovna 39 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný :-(

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Radiation Defect Engineering

Name: Radiation Defect Engineering
Brand: World Scientific Publishing Co Pte Ltd
SKU: 05068174
Price: 2979 CZK
Availability: InStock
Author: Kozlovski Vitali
ISBN: 9789812565211

Kozlovski Vitali

Abrosimova Vera

Jazyk

Angličtina

Kniha Pevná

Libristo kód: 05068174

Nakladatelství World Scientific Publishing Co Pte Ltd, listopad 2005

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed t... Celý popis

Libristo kód: 05068174

298 b

2 979 Kč

50 % šance Prohledáme celý svět Kdy knihu dostanu?

Až 30 dní na vrácení zboží

Zákazníci také koupili

Souvenirs de jeunesse 1939 - 1945 Paul Kalt

Brožovaná

156 Kč

L'Anthroponymie sur le territoire normand (Lyonnaise seconde - province ecclésiastique de Rouen) Lajoye

Brožovaná

611 Kč

Sozialwissenschaftliche Erklarung der Judenvernichtung Norbert Bertelsbeck

Adobe ePub DRM

26 Kč

Bologna tra portici, torri e canali Beatrice Borghi

Brožovaná

782 Kč

Raquel / La fosca melangia de Robinson Crusoe Margarit

Brožovaná

219 Kč

TINTIN EN CAPVERDIEN COKE EN STOCK Hergé

Pevná

401 Kč

Oído interno Jose Kozer

Brožovaná

552 Kč

Vie Et Mouvement Discours Du 3 Novembre 1887 Rentree de l'Ecole de Medecine Navale de Rochefort Bodet-D-M

Brožovaná

315 Kč

The increasing complexity of problems in semiconductor electronics and optoelectronics has exposed the insufficient potential of the technological doping processes currently used. One of the most promising techniques, which this book explores, is radiation doping: the intentional, directional modification of the properties of semiconductors under the action of various types of radiation. The authors consider the basic principles of proton interactions with single crystal semiconductors on the basis of both theory as well as practical results. All types of proton modifications of the materials known presently are analyzed in detail and exciting new fields of research in this direction are discussed.