Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Zásilkovna 54 Kč
Jak nakupovat
Pomoc
Doručení
PPL Parcel Shop 54 Kč
Balík do ruky 74 Kč
Balíkovna 49 Kč
PPL 99 Kč
Zásilkovna 54 Kč
Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč
Nákupní rádce
Jsme tu pro vás!
571 999 090
Můj účet
Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod.
Založit účet zdarma
▸
Prázdný :-(
0
Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Kniha
Pevná
Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showsto...
Celý popis
Libristo kód: 02017347
?
331 b
331 b
3 313
Kč
Skladem u dodavatele v malém množství
Odesíláme za 12-17 dnů
30 dní na vrácení zboží
Mohlo by vás také zajímat
/
Brožovaná
1 003
Kč
Due to the ever increasing electric fields in scaled CMOS devices, reliability is becoming a showstopper for further scaled technology nodes. Although several groups have already demonstrated functional Si channel devices with aggressively scaled Equivalent Oxide Thickness (EOT) down to 5
Informace o knize
Plný název
Reliability of High Mobility SiGe Channel MOSFETs for Future CMOS Applications
Autor
Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken
Jazyk
Angličtina
Angličtina
Vazba
Kniha - Pevná
Datum vydání
2013
Počet stran
187
EAN
9789400776623
ISBN
9400776624
Libristo kód
02017347
Nakladatelství
Springer
Váha
483
Rozměry
155 x 235 x 19
Kategorie
