Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Zásilkovna 39 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 49 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný :-(

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs

Name: Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Brand: Springer Verlag GmbH
SKU: 18052359
Price: 3734 CZK
Availability: InStock
Author: Viktor Sverdlov
ISBN: 9783709119334

Viktor Sverdlov

Jazyk

Angličtina

Kniha Brožovaná

Libristo kód: 18052359

Nakladatelství Springer Verlag GmbH, srpen 2016

This book covers modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in st... Celý popis

Libristo kód: 18052359

373 b

3 734 Kč

Skladem u dodavatele Odesíláme za 5-8 dnů

Až 30 dní na vrácení zboží

Mohlo by vás také zajímat

Your Guide to Life on Earth Gill Arbuthnott

Pevná

736 Kč

Quality of Democracy in Korea Hak-Jae Kim

Brožovaná

4 369 Kč

Peter Saul NEW MUSEUM

Pevná

1 302 Kč

Ventiforms Sean Monaghan

Brožovaná

237 Kč

Learning in the Early Years 3-7 Jeni Riley

Adobe ePub DRM

1 437 Kč

Idea of You Robinne Lee

MP3

281 Kč

This book covers modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is explored in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. Includes a rigorous overview of transport modeling.