Nehodí se? Vůbec nevadí! U nás můžete do 30 dní vrátit
S dárkovým poukazem nešlápnete vedle. Obdarovaný si za dárkový poukaz může vybrat cokoliv z naší nabídky.
30 dní na vrácení zboží
A presentation of state-of-the-art GaN and SiC electronic devices, as well as detailed applications of these devices to power conditioning, rf base station infrastructure and high temperature electronics. It includes results on InGaAsN devices, which constitute a very promising area for low power electronics.