Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Zjistit stav objednávky

Staňte se součástí komunity milovníků knih z celého světa a získejte hromadu výhod. Založit účet zdarma

Doprava zdarma se Zásilkovnou nad 1 499 Kč

Kurýr DPD 69 Kč Balíkovna 69 Kč PPL kurýr 74 Kč PPL box 39 Kč Zásilkovna 39 Kč Výdejní místo DPD 49 Kč PPL shop 49 Kč Balíkovna 49 Kč

Kontakt

Jak nakupovat

Pomoc

Můj účet

▸ Prázdný

Doprava zdarma při nákupu nad 1 499 Kč přes Zásilkovnu nebo PPL Box.

Knihy v angličtině > Technologie, strojírenství, zemědělství > Strojírenství a materiály > Výrobní inženýrství > Průmyslová kontrola kvality > CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155

CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155

Name: CMOS Gate-Stack Scaling - Materials, Interfaces and Reliability Implications: Volume 1155
Brand: Materials Research Society
SKU: 02060485
Price: 2895 CZK
Availability: InStock
Author: Alexander A. DemkovBill TaylorH. Rusty HarrisJeffery W. Butterbaugh
ISBN: 9781605111285

Alexander A. DemkovBill TaylorH. Rusty HarrisJeffery W. Butterbaugh

Jazyk

Angličtina

Kniha Pevná

Libristo kód: 02060485

Nakladatelství Materials Research Society, listopad 2009

To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into convent... Celý popis

Libristo kód: 02060485

290 b

2 895 Kč

Skladem u dodavatele Odesíláme za 14-21 dnů

Až 30 dní na vrácení zboží

Zákazníci také koupili

Dokumentenanalyse in der Bildungs- und Sozialforschung Nicole Hoffmann

Brožovaná

457 Kč

Puzzle 500 Torres Del Paine Patagonia Chile B-53698

binding.

172 Kč

Devenir autre David Berliner

Brožovaná

590 Kč

Presencia poética Duart Torres

Brožovaná

383 Kč

societas europaea. la société européenne Colombani j.-l. Kniha

Brožovaná

838 Kč

Nah bei dir - Kimi ni todoke 07. Bd.7 Karuho Shiina

Brožovaná

180 Kč

Das Leben Des Malers Johann Conrad Seekatz, 1719-1768 (1916) Ludwig Bamberger

Brožovaná

467 Kč

Voajer Inna Moore

Brožovaná

237 Kč

Imitacionnaya model' dvizheniya avtotransporta na peresechenii dorog Alexandr Semerikov

Brožovaná

772 Kč

Die Krebsbehandlung in Der Thoraxklinik Heidelberg P. Drings

Brožovaná

1 187 Kč

Klett Textaufgaben/Sachaufgaben 3. Klasse

List

167 Kč

To address the increasing demands of device scaling, new materials are being introduced into conventional Si CMOS processing at an unprecedented rate. Presentations collected here focus on understanding, from a chemistry and materials perspective, the mechanism of interface formation and defects at interfaces, for both conventional Si and alternative channel (Ge or III-V) systems. Several papers address reliability concerns for high-k/metal gate (basic physical models, charge trapping, etc.), while others cover characterization of the thin films and interfaces which comprise the gate stack. Topics include: advanced Si-based gate stacks; and alternate channel materials.